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【出處】空匮區 【瓶頸】 1.在PN接面，非論順偏逆偏都必需假定空乏區電流為定值 但是為何是定值? 順偏時空匮區載子濃度分布是位置的指數函數， 電場也是位置的函數，沒有復合電流， 電子電洞流總括應不是定值，應是位置的函數 逆偏時亦然。
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2. MOS電晶體在drain加偏壓時， 夾止區內電場為何是定值，不隨VDS及橫軸座標改變， 夾止區內不也是空匮區嗎? 3. 一般Bipolar的P-ISO是用逆偏空匮區蓋住載子跑到其他元件 但空匮區仍是會漏電(有小電流)，那不是隔斷結果差? 4. 一般PN接面圓柱形分布都邑有空乏區電場線擁擠的狀況 但為何電場線擁堵輕易造成漏電(產生複合電流變大)，是何種物理機制? 就教列位，感謝
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